坩埚下降法生长硅酸铋闪烁晶体

摘要：

采用改进型坩埚下降法,从富Bj的高温熔体中生长了硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体,研究了BSO晶体的析晶行为.透明晶体最大尺寸达到30mm×30mm×35mm,晶体具有良好的光学均匀性,在350～900nm波段透过率保持在约80%.相对锗酸鉍(Bi4Ge3012,BGO)晶体,BSO闪烁晶体具有快的衰减时间,有望用于能量范围在几百MeV的4 π电磁量能器.

关键词：硅酸铋晶体、坩埚下降法、晶体生长、闪烁体

所属期刊栏目：37

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：上海市科委重点项目0852051300上海市教委重点项目09ZZ196

在线出版日期：2009-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：295-298