10.3321/j.issn:0454-5648.2009.02.010
CdS/CdSe核壳结构半导体纳米晶结构及光谱特性
采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSc/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdS C/S NCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能.通过X射线衍射,透射电镜和选区电子衍射分析证明了核壳结构的形成,并通过紫外可见光吸收光谱和荧光光谱分析证明了核壳结构对CdSe NCs荧光性能的改善.此外,实验结果表明:控制CdSe核合成中Cd前驱体溶液pH值能获得粒径分布较窄的CdSe/CdS C/S NCs;采用不同浓度比的Cd和Se前驱体溶液可以有效调节核壳结构半导体纳米晶的粒径;选择合适的CdSe与CdS摩尔比及壳层中Cd与S摩尔比能改善CdSe/CdS C/S NCs的荧光性能.
半导体纳米晶、核壳结构、荧光
37
TN304.054;O613.5(半导体技术)
国家自然科学基金50572072,50702037
2009-04-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
219-224