先驱体法制备连续SiC自由薄膜及其发光性能

摘要：

以聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)为先驱体,熔融纺出连续PCS自由原膜,并在190℃下对其进行1,2.3h和6h氧化交联,在900℃预烧及最终分别在1200℃和1300℃烧成,制得系列SiC自由薄膜.采用红外光谱、Raman光谱、X射线衍射、透射电镜与扫描电镜对薄膜进行微观结构与形貌分析.测量了薄膜的室温光致发光特性.结果表明:连续SiC自由膜均匀致密,含有β-SiC微晶、无定形SiOxCy及C簇:薄膜在410～450nm范围内有较强的蓝光发射,1200℃烧结的薄膜随交联时间增加,发光强度增大;而1300℃烧结的薄膜的发光强度相对下降,且交联时间越长强度下降越明显.412 nm发光峰可归结于C簇发光;而435 nm附近的峰则是薄膜中富含的Si-O,Si-C等键中的缺陷态构成的发光中心,在β-SiC晶粒中电子受到激发与缺陷态产生辐射复合引起发光以及量子表面效应共同作用的结果.

关键词：聚碳硅烷、先驱体法、熔融纺膜、碳化硅自由膜、光致发光

所属期刊栏目：37

分类号：TQ174;O4S2.3

资助基金：国家自然科学基金重点50532010

在线出版日期：2009-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：187-192,197