纳米碳化硅、氮化硅和掺杂氮碳化硅粉体的制备及其微波介电特性

摘要：

为了制备耐高温吸波材料,用激光诱导气相反应法,以六甲基二硅胺烷[(Me3Si)2NH](Me:CH3)、乙炔、硅烷和氨气为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置分别制备了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体,纳米粉体的粒径为20～30nm.研究了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体在8.2～12.4GHz的微波介电特性,纳米SiC(N)粉体介电常数的实部(ε')和虚部(ε")在8.2～12.4GHz随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε"/ε')较高,是较为理想的微波吸收材料,而纳米SiC和Si3N4粉体的tgδ基本为0.纳米SiC(N)粉体中S,C,N原子周围的化学环境比纯SiC和Si3N4相的混合体要复杂得多,这是导致其性能变化的主要原因.纳米SiC(N)粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米SiC(N)粉体中形成大量的带电缺陷,在电磁场作用下形成极化耗散电流,极化弛豫是吸收电磁波的主要原因.

关键词：纳米碳化硅和氮化硅、纳米掺杂氮碳化硅、激光诱导气相反应、微波介电特性

所属期刊栏目：36

分类号：TQ174.75+.8.12

资助基金：国家自然科学基金50672004

在线出版日期：2008-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：783-787