10.3321/j.issn:0454-5648.2008.05.024
ScAlMgO4晶体的生长缺陷
采用提拉法生长出φ30 mm×55mm的ScAIMgO4晶体.在晶体生长过程中有轻微的挥发,粉末X射线衍射分析表明:挥发物质为MgO单相.运用扫描电镜、光学显微镜以及高分辨X射线衍射仪对晶体中的包裹物、开裂、生长条纹和小角晶界缺陷进行了研究.结果表明;温度梯度和热应力是形成晶体中缺陷的主要原因.通过合理设计温场,控制固-液界面的形状及冷却过程的降温速率,可以提高晶体的完整性.
铝镁酸钪晶体、提拉法、晶体缺陷
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O782(晶体生长)
2008-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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