硅化镁热电材料的放电等离子反应烧结

摘要：

硅化镁(Mg2Si)是一种窄带隙n-型半导体,具有高的电导率和低的热导率且无毒无污染、耐腐蚀,是很有潜力的环境友好型中温域热电材料.实验用高纯镁(Mg)粉和硅(Si)粉,系统研究了放电等离子烧结制备Mg2Si热电材料的工艺过程.测试了样品的密度.用X射线衍射、场发射扫描电镜表征了样品的相组成和显微结构.结果表明:Mg,Si完全固相反应的温度为823K,适度过量的Mg含量对纯相Mg2Si的获得非常重要.823K,250MPa,30min条件下制各样品的相对密度达到97%,但样品表面容易产生裂纹.经823K,6MPa,10min完全反应的Mg2Si在1 023 K,20 MPa,10 min条件下进行二次烧结,获得了结构均匀、相对密度为98T的Mg2Si块体热电材料.

关键词：硅化镁、放电等离子烧结、反应烧结、热电材料

所属期刊栏目：36

分类号：O64;TF7

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2007CB607501

在线出版日期：2008-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：337-340