10.3321/j.issn:0454-5648.2008.02.001
低折射率纳米多孔二氧化硅薄膜的疏水性
采用溶胶-凝胶技术,通过HCl控制酸性的酸/酸二步法,以十六烷基三甲基溴化氨为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,以及水、盐酸等为原料,制备二氧化硅前驱体溶胶.用甲基三乙氧基硅烷(methyltriethoxysilane,MTES)改性,制备疏水型SiO2前驱体溶胶.结果表明:采用MTES改性制备的二氧化硅薄膜的疏水性能、光学性能、力学性能等各项性能效果更好;通过简单提拉、迅速蒸发溶剂等方法制备的疏水薄膜的折射率为1.10,且在1.1~1.38之间连续可调,根据测得的折射率,计算的气孔率高达81.8%,介电常数为1.77.其红外光谱表明,所制备的薄膜由于掺入甲基基团而疏水,水滴在薄膜表面上的照片的结果进一步支持这一结论.
溶胶-凝胶、多孔二氧化硅、低折射率、疏水、甲基三乙氧基硅烷
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O469(真空电子学(电子物理学))
上海市教育委会科研创新基金08Y297
2008-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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