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10.3321/j.issn:0454-5648.2007.12.001

热处理工艺对钙锶铋钛铁电薄膜性能的影响

引用
用溶胶-凝胶法和快速退火技术在带白金电极和钛过渡层的硅片(Pt/Ti/SiO2/Si)上制备了钙锶铋钛(Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15,CsBT-0.4)铁电薄膜.结果表明:退火温度及保温时间对CSBT-0.4铁电薄膜的微观结构、晶粒取向以及铁电性能的影响较大.x射线衍射谱表明:退火温度为750℃、保温时间为5min,得到的CsBT-0.4铁电薄膜样品的晶粒大小较均匀且致密性好,而且晶粒以a轴取向的球状晶粒为主,剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为16.2 μC/cm2和130kV/cm.

钙锶铋钛、退火温度、保温时间、铁电性能

35

TB34(工程材料学)

国家自然科学基金60471042;山东教育厅重点03A02

2008-03-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1567-1571

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

35

2007,35(12)

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