电沉积工艺对p-CuSCN薄膜结构及半导体性质的影响

摘要：

以乙二胺四乙酸二钠(ethylenediamjn tetraacetic acid disodium,EDTA)为鳌合剂,在水溶液络合体系中采用电沉积法制备了CuSCN半导体薄膜,应用电子隧穿成核和表面态热激发机理以及Mott-Schottky曲线分析了沉积电位和温度对薄膜结构和半导体性质的影响.结果表明:室温下,价带电子隧穿产生的电流与表面态空穴热激发电流在同一数量级,表面态空穴热激发电流不随电位改变,价带电子隧穿电流的变化趋势反映了整体电流的变化.随着阴极电位的升高,由于价带电子的隧穿几率变化,晶粒尺寸先减小后增大;半导体空穴浓度减小,p型性质减弱.由于沉积反应受活化能控制,在高温条件下主要表现为晶粒生长,导致晶粒尺寸增大,薄膜致密度降低;同时也使半导体空穴浓度减小,p型性质减弱.

关键词：p型硫氰酸亚铜薄膜电沉积、沉积电位、Mott-Schottky曲线

所属期刊栏目：34

分类号：O646.5(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：天津市应用基础研究项目033802311

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1060-1065