氧气含量对射频磁控溅射Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法在镀氧化铟锡的Corning 1737玻璃基片上制备了用于无机电致发光显示器绝缘层的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,该薄膜厚约400 nm.研究了O2和Ar+O2的体积比V(O2)/V(Ar+O2)对薄膜沉积速率、结晶性和介电性能的影响.当V(O2)/V(Ar+O2)由0增加至0.5时,薄膜的结晶取向、介电常数、介电损耗、击穿场强和漏电流密度并没有明显的规律性可循.V(O2)/V(Ar+O2)为0.1时,薄膜的品质因子最好,其值为5 μC/cm2.

关键词：钛酸锶钡薄膜、氧化铟锡、介电性能、射频磁控溅射、氧气含量

所属期刊栏目：34

分类号：TN384(半导体技术)

在线出版日期：2006-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：593-595