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10.3321/j.issn:0454-5648.2006.04.011

CuO和V2O5掺杂对ZnNb2O6陶瓷介电性能的影响

引用
采用传统的固相反应法制备了CuO和V2O5掺杂的ZnNb2O6介质陶瓷.通过X射线衍射,扫描电镜以及电感-电容-电阻测试仪等测试手段对其烧结特性,晶体结构,微观形貌和介电性能进行研究.结果表明:CuO和V2O5掺杂能降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌并优化介电性能.掺杂质量分数为0.25%CuO和0.25%V2O5的ZnNb2O6陶瓷样品在1 025℃烧结后,在100 MHz下具有较好的综合介电性能:介电常数εr=35,介电损耗tanδ=0.000 21,频率温度系数τf=-44.41×10-6/℃.

铌酸锌、介质陶瓷、烧结温度、介电性能

34

TM28(电工材料)

教育部留学回国人员科研启动基金2003-14;河南省高校杰出科研创新人才工程项目2001-213

2006-05-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

442-445

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2006,34(4)

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