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10.3321/j.issn:0454-5648.2005.12.005

BiVO4掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷介电性能的影响

引用
采用传统陶瓷工艺制备了BiVO4掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(bismuth zincate niobate,BZN)介质陶瓷,用X射线衍射、扫描电镜以及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明:BiVO4掺杂能显著降低BZN的烧结温度,由1 000℃降至850℃,同时可优化频率温度系数τf,由-450×10-6/℃变为-254×10-6/℃.BiVO4的掺杂量为5%,烧结温度为900℃时,BZN陶瓷具有较好的介电性能:介电常数ε=153,品质因数Q=2 100,频率温度系数τf=-350×10-6/℃.

锌铌酸铋陶瓷、钒酸铋掺杂、显微结构、介电性能

33

TH145

教育部留学回国人员科研启动基金2003-14

2006-02-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1453-1456

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2005,33(12)

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