非晶态SiCN陶瓷的高温电导率

摘要：

采用直流电流-电压测试方法,测定了热裂解前驱体方法制得的SiCN非晶态陶瓷在室温至1 373 K范围内的直流电导率.结果表明:电导率从室温时的9.6×10-9(Ω·cm)-1增加到1 373 K时的1.62×10-3(Ω·cm)-1.用Mott模型和Arrhenius法则对实验数据进行分析表明:扩展态、带尾局域态、缺陷局域态、Mott模型中的变程跃迁都对样品的电导率有影响.X射线衍射结果表明:1 473 K热处理的样品为非晶结构.红外吸收谱表明:样品中主要键合方式为Si-C,Si-N和C-N键,仅有少量的C-H、Si-H和C-O键出现.

关键词：硅碳氮陶瓷、高温电导率、局域态、激活能

所属期刊栏目：33

分类号：TQ174

资助基金：中国科学院"百人计划"

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：789-792