放电等离子烧结技术制备透明AlN陶瓷

摘要：

采用放电等离子烧结(spark plasma sintering, SPS)技术,以CaF2为烧结助剂,在1 850 ℃烧结15 min, 成功制备了透明AlN陶瓷.随着CaF2含量的增加,样品的密实度和透过率都随之提高.在CaF2含量为2.5%(质量分数)的AlN陶瓷样品的透光率最高(56.3%).继续提高CaF2含量,样品密实度和透过率反而有所下降.SPS制备的纯AlN陶瓷样品中出现了颜色不均匀现象.与传统烧结方法比较,SPS制备的样品具有很高的致密度、纯度和良好的晶体结构.CaF2的加入降低了烧结温度,烧结时间短, 提高了AlN陶瓷的透过率,是制备透明AlN陶瓷的有效烧结助剂.

关键词：氮化铝透明陶瓷、放电等离子烧结、透过率

所属期刊栏目：33

分类号：TQ133

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA332020

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：753-757