稀释气体对化学气相沉积SiC涂层生长行为的影响

摘要：

以CH3SiCl3-H2为反应气体,采用Ar和H2作为稀释气体,在1 100℃、负压条件下,由化学气相沉积制备了SiC涂层,研究了稀释气体对涂层沉积速率、形貌以及晶体结构的影响.以Ar为稀释气体时,随着稀释气体流量的增加沉积速率迅速减小;用Ar作稀释气体制备的SiC涂层相对粗糙,随着Ar流量的增加,晶粒簇之间的空隙较大,涂层变得疏松.XRD分析表明:当稀释气体Ar流量超过200 ml/min时,涂层中除了β-SiC外,还逐渐出现了少量的α-SiC.以H2为稀释气体时,当H2流量增加到400 ml/min时,涂层的沉积速率迅速增大;以H2为稀释气体制备的SiC涂层致密、光滑,沉积的SiC涂层全部是β-SiC,且具有非常强的(111)晶面取向,涂层中无α-SiC出现.

关键词：稀释气体、化学气相沉积、SiC涂层、生长行为

所属期刊栏目：32

分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：国防预研基金41312011002

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1563-1566