微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化

摘要：

采用升华法生长调制掺氮的6H-SiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长阶段近似平坦的形状.发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高.透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6H-SiC晶体的[0001]方向偏离角度较大时,微管变得不稳定而离解消失;微管也可终止于六边形空洞或硅滴处.氮元素掺杂可使6H-SiC晶体的晶格发生畸变,可导致产生新微管.

关键词：碳化硅单晶、升华法、调制掺氮、微管、生长前沿

所属期刊栏目：32

分类号：O771;O782(晶体缺陷)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA311080;国家自然科学基金60025409

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1377-1380