10.3321/j.issn:0454-5648.2004.08.014
硅灰石制备二氧化硅材料过程中晶体结构的变化
利用XRD技术研究了三斜晶系普通硅灰石在酸解形成二氧化硅材料过程中晶体结构的变化.结果表明:三斜晶系普通硅灰石在浓度为2 mol/L HCl溶液中的酸解浸蚀方向严格受晶体结构控制,酸解初期晶粒首先并主要沿垂直于[100]带轴方向浸蚀,结果导致衍射面(100),(200)和(300)的衍射强度增大;随着酸解时间的延长,[SiO4]单四面体与[CaO6]八面体共棱连接方向成为主要浸蚀方向,在XRD图谱中表现为d=0.298 nm衍射峰-直保持较大的衍射强度.酸解反应过程中,三斜晶系普通硅灰石除被转变成mSiO2·nH2O外,其晶体结构存在向单斜晶系副硅灰石、针钠钙石型结构、硬硅钙石和傅硅钙石的晶型转变现象,60 min前以形成单斜晶系副硅灰石的多型转变为主,60min后则以形成针钠钙石型结构、硬硅钙石和傅硅钙石为主.
硅灰石、多型转变、衍生结构、X射线衍射
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TD985;TQ110.3(选矿)
国家高技术研究发展计划863计划863-2001AA339020
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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975-981