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10.3321/j.issn:0454-5648.2004.05.009

WOx:Mo薄膜的结构及电致变色性能研究

引用
采用反应磁控溅射工艺,以纯钨和纯钼为靶材在ITO玻璃上制备Mo掺杂WOx电致变色薄膜,用薄膜的透射光谱和XRD衍射方法对掺杂后薄膜的电致变色性能和结构进行了分析,研究了Mo掺杂对WOx薄膜电致变色性能和微观结构的影响机理.实验结果表明:在一定掺杂范围内,Mo掺杂对薄膜电致变色性能有较大提高;掺杂越均匀,对薄膜电致变色性能的改善越显著.影响薄膜电致变色性能的相应掺杂量由溅射时间表示,相对掺量存在最佳值,即7.7%附近,薄膜的变色性能可得到最大的提高,按实验结果趋势分析掺杂量存在有效范围,超出有效掺杂范围,掺杂便会失效.XRD分析表明,掺杂Mo之后的WOx薄膜仍为非晶态,且非晶态有增强的趋势.

掺杂氧化钨、钼掺杂、非晶态薄膜、电致变色、反应磁控溅射

32

TB43;O484(工业通用技术与设备)

重庆市科委资助项目2000-6214

2004-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

580-584,589

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0454-5648

11-2310/TQ

32

2004,32(5)

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