10.3321/j.issn:0454-5648.2004.02.011
反应熔渗烧结法制备MoSi2/SiC复合材料
采用反应熔渗烧结方法制备了弯曲强度达262 MPa的MoSi2/SiC复相材料,并研究了其烧结过程和烧结机理.结果表明:MoSi2/C坯体中熔渗硅的方法制备MoSi2/SiC复相材料,液态硅自然浸渗过程在1 450 ℃即可完成,而且在该温度下液态硅的浸渗速率大于或等于反应速率.在1 750 ℃时虽然C+SiβSiC反应全部完成,但生成的β-SiC发生再结晶,使复相材料的强度降低.成型压力对反应浸渗材料的强度影响不大.
反应熔渗烧结、二硅化钼/碳化硅复相材料、制备工艺
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TG146.4(金属学与热处理)
2004-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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