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10.3321/j.issn:0454-5648.2003.05.005

低电阻率碳化硅纤维先驱体的熔融纺丝与不熔化处理

引用
为了制备低电阻率SiC纤维, 在聚碳硅烷合成时引入了聚氯乙烯.研究了引入聚氯乙烯制得的聚碳硅烷PC-P的熔融纺丝与PC-P纤维的不熔化处理.研究表明:PC-P具有良好的纺丝性, PC-P的纺丝温度高出其熔点60~90 ℃.PC-P纤维不熔化处理最高温度高出其熔点15~30 ℃, PC-P纤维需要的不熔化程度是: 质量增加率2%~6%, Si-H键反应程度25%~50%, 凝胶含量0~75%, 均比普通聚碳硅烷(PCS)纤维低.

碳化硅纤维、低电阻率、聚碳硅烷、熔融纺丝、不熔化处理

31

TQ343.6

国家高技术研究发展计划863计划715-011-016

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

445-449

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0454-5648

11-2310/TQ

31

2003,31(5)

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