氧化钇掺杂四方氧化锆电性能的研究

摘要：

研究了添加1%Al2O3(摩尔分数)和前驱体"清除"晶界杂质两种改善晶界导电性能的方法,对四方氧化锆(3%Y2O3-doped tetragonal zirconia,3YTZ)陶瓷烧结体的导电性能的影响.运用XRD,SEM分析了它们的相组成及其微观结构.在200～750℃下进行交流阻抗谱测试,结果表明:2种方法均对晶界导电性能有明显改善.Al2O3自ZrO2晶界进入晶粒,参与替代锆原子,与氧离子空位形成缔合物,降低了氧离子空位浓度,引起晶粒电阻有所增大,但前驱体"清除"对晶粒电阻没有影响.有效氧离子空位浓度的变化,引起了1 550℃烧成的3YTZ+1%Al2O3和3YTZ陶瓷样品的晶界电导活化能在高低温度区的差异.

关键词：钇稳定四方氧化锆、晶界导电、前驱体"清除"、交流阻抗谱

所属期刊栏目：31

分类号：TQ174

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：241-245