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10.3321/j.issn:0454-5648.2002.05.025

放电等离子烧结工艺合成Ti3SiC2的研究

引用
以元素单质粉为原料, 当原料配比为n(Ti)∶n(Si)∶n(Al)∶n(C)=3∶(1.2-x)∶x∶2, 其中:x=0.05~0.2时, 在1 200~1 250 ℃温度下经放电等离子烧结成功制备了高纯、致密Ti3SiC2固溶体材料.原料中掺加适量Al能改善Ti3SiC2的合成反应并提高制备材料的纯度.当x=0.2时, 所合成的固溶体形貌为板状结晶, 分子式近似为Ti3Si0.8Al0.2C2, 晶格参数a=0.306 9 nm, c=1.767 nm.在1 250 ℃温度下烧结, 得到平均厚度达5 μm, 发育完善均匀的致密多晶体材料.材料Vickers硬度为3.5~5.5 GPa, 具有与石墨相似的加工性能.

碳硅化钛、铝、合成、放电等离子烧结

30

TF123.3(冶金技术)

国家自然科学基金50172037;高等学校博士学科点专项科研项目2000049702

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

649-652

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2002,30(5)

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