10.3321/j.issn:0454-5648.2002.04.023
碳化硅浓悬浮体的分散特性和流变性研究
通过对碳化硅粉体在有机单体介质中的Zeta电位、分散剂用量和浓悬浮体的粘度等的测试及其沉降试验, 详细研究了粒径分布较宽的碳化硅粉体(0.2~250 μm)的胶体分散特性、沉降行为以及浓悬浮体的流变行为.结果表明, 选用适量的分散剂四甲基氢氧化铵可使SiC 颗粒的Zeta电位绝对值提高近20 mV, 调整浆料pH至11.9附近可制备出固相体积分数高达70%的SiC浓悬浮体.该浓悬浮体中粗细SiC颗粒间能达到均一稳定的分散, 悬浮粒子不会产生明显地沉降,其流变行为符合Quemada模型.
碳化硅、分散性、沉降行为、流变性
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TF123(冶金技术)
国家重点基础研究发展计划973计划G2000067204-01
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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517-520