V2O5复合薄膜材料的电子结构研究

摘要：

采用自洽场离散变分Xα方法对纯V2O5及V2O5复合薄膜不同状态的O1s及V2p轨道电子结合能和键强度等进行了研究. 结果表明, V2O5结构中存在4种状态的氧和3种状态的钒, 聚合物(PEO)或聚合物(PEO)-Li+嵌入V2O5结构主要存在于层间的位置, 与双键氧产生弱的键合作用, 导致双键氧与五价钒的含量降低, 三键氧与三价、四价钒的含量增加;纯V2O5层间嵌入的Li+与周围氧的共价键与静电力都非常明显, V2O5层间引入PEO后再嵌入Li+, Li+与周围氧的共价键与静电力都变的非常微弱, 说明PEO嵌入V2O5层间使Li+具有很好的注入/脱出可逆性.

关键词：五氧化二钒、复合薄膜、结合能、键强度、电子结构

所属期刊栏目：30

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金59802009,50172036;湖北省自然科学基金99J053

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：208-211,215