热处理对不加热ITO/玻璃基底上沉积的PLZT铁电薄膜结构转变的影响

摘要：

采用射频磁控溅射技术在不加热ITO/玻璃衬底上制备了PLZT(9/52/48)铁电薄膜. X射线衍射分析表明溅射气氛中φ(O2)∶φ(Ar)为3∶7的膜在PbO保护下, 625 ℃热处理150 min后完全形成钙钛矿相的PLZT, 不存在第2相, 介电常数ε为1 224. XPS表面成分分析及深度分析表明: PbO保护气氛中热处理不仅可以防止失铅, 而且还可以弥补在制膜过程中失去的铅. 用改进的Sawyer-Tower电路测量了薄膜的电滞回线, 并获得剩余极化强度为17.7 μC/cm2、矫顽场为24.3 kV/cm.

关键词：锆钛酸铅镧铁电薄膜、结构转变、热处理

所属期刊栏目：30

分类号：TN304.9(半导体技术)

资助基金：甘肃省自然科学基金ZR-97-061

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：30-35