Sb2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶界特性和电性能的影响

摘要：

制备了掺有Sb2O3不同掺杂量的ZnO压敏陶瓷样品采用扫描电镜对样品进行显微结构分析,研究了mb2O3掺杂浓度对ZnO压敏电阻显微结构和性能的影响测量了样品的电性能.由样品C V特性的测量计算出晶界参数,并由此讨论了陶瓷电性能与晶界特性的相关性研究发现.在ZnO压敏陶瓷样品中掺杂适量的Sb2O3可以提高ZnO压敏陶瓷样品的非线性性能,但当Sb2O3的摩尔分数超过0 088%时,电性能反而劣化,这是因为Sb2O3掺杂浓度不同会引起晶界势垒高度、施主浓度及陷阱态密度的变化,因此Sb2O3掺杂量要控制在适当的范围内.

关键词：氧化锌压敏陶瓷、氧化锑、电性能、晶界

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.93(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：602-605