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10.3321/j.issn:0454-5648.2001.01.018

Mn掺杂BaTi4O9陶瓷结构和介电性能

引用
用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9(BT4)的介电陶瓷,研究用锰掺杂的BaTi4O9陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi4O9属正交晶系,空间群Pmmn,晶格常数为a=1.453 nm, b=0.379 nm, c=0.629 nm,每个原胞有两个分子,钛原子位于变形的氧八面体之中。这种氧八面体的极化类似于或大于在BaTiO3和PbTiO3铁电相观察到的极化。锰掺杂极大地增强了Q值,在1 MHz下测得的Q值为12 500. 而没有掺杂的陶瓷有高的损耗,这可能是由于在空气中烧结时形成Ti3+,显然锰的作用是在缺陷平衡中作为一种补偿剂,依据反应:Mn3++Ti3+Mn2++Ti4+,可能有助于Ti4+的形成. BaTi4O9陶瓷具有优良的介电性能:低介质损耗、中等介电常数和低的介电常数温度系数. 此种陶瓷制造成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域.

介电性能、锰掺杂、主晶相、四钛酸钡

29

T772

国家高技术研究发展计划863计划Z33-011

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

80-83

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

29

2001,29(1)

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