脉冲准分子激光扫描沉积(PLD)高c轴取向V2O5/Si薄膜及结构分析

摘要：

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术，在Si(111)单晶衬底上沉积了多晶V2O5薄膜，经300 ℃以上退火处理得到了具有高c-轴取向生长的V2O5薄膜. 300 ℃以上热退火处理的薄膜表面具有正常的化学计量比(无氧缺位)，晶粒间界明显，晶粒呈针棒状，晶粒尺寸在100～200 nm之间. 采用X射线衍射(XRD)、Raman光谱(RS)、Fourier红外光谱(FT-IR)及透射电镜扫描附件(STEM)对沉积及不同温度下退火处理的样品进行了结构分析. 研究结果表明：V2O5/Si薄膜经400 ℃热处理后表面部分处于低价态的钒离子已被氧化为V2O5.

关键词：五氧化二钒薄膜、高c-轴取向、脉冲准分子激光沉积、结构分析

所属期刊栏目：29

分类号：O484;O433(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金19775016;湖北省自然科学基金99J049

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：13-17