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10.3321/j.issn:0454-5648.2000.02.010

氮化硅针状晶体的制备

引用
采用Si粉直接氮化的方法制备氮化硅针状晶体.通过热力学计算,选择了晶体生长的温度和压力范围.探讨了温度、压力、添加剂等对针状晶体晶相、形貌、产率的影响,并在1850 ℃,CaO质量分数为10%条件下,制备了长径比为4~10的β-Si3N4针状晶体,产率为68%.采用XRD,TEM,SEM对得到的氮化产物及针状晶体进行了表征.

针状晶体、氮化硅、长径比

28

TQ038;TQ174.758(一般性问题)

中国科学院基础研究项目KJ951-A1-511

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

142-146

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0454-5648

11-2310/TQ

28

2000,28(2)

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