GaAs多晶薄膜的电共沉积制备及其半导体性能研究

摘要：

采用电共沉积制备GaAs薄膜.研究了电流密度、溶液中离子浓度比、pH值等电沉积参数对膜层质量的影响.并在观察膜层形貌的基础上,测试了膜层化学成分、晶格结构和能级位置、带隙值等半导体性能.测试结果证明膜的直接带隙材料性,带隙宽度为1.40 eV,薄膜成分为Ga0.9946As1.0054,接近化学计量的GaAs.

关键词：电沉积、砷化镓、薄膜、电流密度、能级位置

所属期刊栏目：27

分类号：O47(半导体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：721-726