APCVD法SiH4-NH3-CO2系统制备氧氮玻璃薄膜的研究

摘要：

在660 ℃下以SiH4-NH3-CO2作为反应气体利用常压CVD(APCVD)设备沉积得到了氧氮玻璃薄膜. 此温度比文献报道的APCVD法低200 ℃以上,有效地降低了沉积温度. 实验发现NH3中水汽对沉积反应的显著影响. 初步研究表明:运用APCVD法将这种薄膜应用于普通钠钙硅玻璃的表面改性,可使镀膜玻璃的表面硬度比退火玻璃提高了50%以上.

关键词：氧氮玻璃、氧氮化硅、薄膜、常压化学气相沉积、表面改性

所属期刊栏目：27

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目59572006;浙江省自然科学基金596109

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：365-369