低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究

摘要：

应用4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压敏陶瓷的复电容曲线,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律,探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因并对电子陷阱的特征参数进行了表征. 实验发现:在低压ZnO压敏陶瓷中存在两种非理想的Debye弛豫现象,对于每一种弛豫,其复电容曲线存在压低现象,且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小. 在低压ZnO压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱,它们分别位于导带底0.209和0.342 eV处,其中0.209 eV处的陷阱能级对应于本征施主Zn×i的二次电离,而0.342 eV处的陷阱能级对应于氧空位VO的一次电离.

关键词：低压氧化锌压敏陶瓷、复电容、压低角、电子陷阱

所属期刊栏目：27

分类号：TN304.82;O483(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：305-309