我国科学家利用新型谱方法表征长程耦合半导体量子比特
随着半导体量子计算的不断发展,半导体量子比特性能大幅提升,如何实现多量子比特扩展已成为该领域的一个重要研究热点.利用微波谐振腔中的光子作为媒介实现比特间相互作用被认为是最具潜力的扩展方式之一,而这一方案的首要条件是实现量子比特与微波谐振腔的强耦合(量子比特与微波谐振腔的耦合速率大于比特、光子的耗散速率).由于传统谱学方法无法对光子造成的调制作用寻址,仅能对单个比特依次进行表征、调节,因此在对多比特杂化体系的性质表征、比特参数调节时存在困难.
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2020-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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