化学气相沉积法制备单层二硫化钼的研究进展

摘要：

单层二硫化钼(MoS2)是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,因其优异的物理化学特性广泛应用于纳米电子器件、传感器、能源、生物医药等多个领域,成为二维材料研究的新热点,但是高质量、产业化制备单层MoS2还面临着很大的困难.本文主要综述了化学气相沉积(CVD)制备单层MoS2薄膜的方法,讨论了该方法在国内外的研究现状及其优缺点,最后展望了制备单层MoS2的发展前景,认为应该朝着可控、低成本、大规模制备单层MoS2的方向改进工艺.

关键词：单层二硫化钼、化学气相沉积

所属期刊栏目：48

分类号：TQ136.12

在线出版日期：2019-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：33-35