快速光热退火法制备多晶硅机理研究

摘要：

本论述研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术,先利用PECVD法设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用x射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构;对不同退火温度下的系列样品测定了RXD谱图.研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波的频率和光照强度是起着主导作用.

关键词：光热退火、多晶硅薄膜、晶粒尺寸

所属期刊栏目：40

分类号：TN3;TM2

在线出版日期：2011-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：36,78