10.3969/j.issn.1672-6375.2010.03.032
CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的研究及其发展
本论述简要介绍了CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的发展,重点阐述了CdS和ZnS缓冲层的研究现状,指出缓冲层的制备工艺上以化学水浴法居多,从成膜机理到工艺参数的优化都做了充分的研究,对真空蒸发法的制备工艺研究则相对较少,而且大部分都集中在蒸发温度、衬底温度和沉积温度对薄膜性能的影响上.最后指出了发展过程中遇到的两个问题:一Cd对环境的污染,二化学水浴法不利于工业化大生产.
CIGS、薄膜电池、缓冲层、CdS薄膜、ZnS薄膜
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TB3;TN3
2010-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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