ICP-OES雾化系统对汽油中不同硅化学形态测量的适应性研究

摘要：

汽油中含硅化合物的存在会在燃烧时形成二氧化硅沉积于汽车燃烧系统的不同部位,进而导致车辆故障的发生。汽油中的含硅化合物可能以不同的形态存在。采用有机直接进样模式的电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定油品中的微量杂质因其方便、快速正得到越来越多的应用。本文研究了不同的ICP-OES雾化系统对不同形态含硅化合物测量的影响。对于微量旋流雾化系统,硅的发射强度与硅化学形态有明显关系,硅化合物挥发性越大,硅元素的发射强度就越强。微量可控温旋流雾化系统可改善易挥发性硅元素的发射强度增强效应,但仍无法完全消除此增强效应。直接注入高效雾化器(DIHEN)雾化系统的应用,可有效消除易挥发性硅的发射强度增强效应,比较适合汽油中硅含量的测定。DIHEN-ICP-OES方法的加标回收率为92.8%~108.7%,相对标准偏差(RSD,n=10)为1.05%~4.63%,方法检出限为0.05 mg· kg-1。与传统微波消解法相比,DIHEN-ICP-OES具有简便,快速,灵敏,准确度较高的优点,可用于汽油中硅含量的直接检测。

关键词：汽油、硅化学形态、直接注入高效雾化器(DIHEN)、ICP-OES

所属期刊栏目：36

分类号：O657.3(分析化学)

资助基金：国家标准制定计划能源项目20141511-T-469

在线出版日期：2016-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3303-3307