10.3964/j.issn.1000-0593(2016)07-2055-04
Tb掺杂Si纳米线的光致发光特性
以金属Au‐Al为催化剂,在温度为1100℃,N2气流量为1500 sccm、生长时间为30 min ,从Si (100)衬底上直接生长了直径约为50~120 nm、长度为数百纳米的高密度、大面积的Si纳米线。然后,利用Tb2O3在不同温度(1000~1200℃)、掺杂时间(30~90 min)和N2气流量(0~1000 sccm)等工艺条件下对Si纳米线进行了Tb掺杂。最后,对Si(100)衬底进行了Tb掺杂对比。室温下,利用荧光分光光度计(Hita‐chi F‐4600)测试了Tb掺杂Si纳米线的光致发光特性。实验研究了不同掺杂工艺参数(温度、时间和N2气流量)对 T b3+绿光发射的影响。根据 T b3+能级结构和跃迁特性对样品的发射光谱进行了分析。结果表明,在温度为1100℃,N2气流量为1500 sccm、时间为30 min等条件下制备的Si纳米线为掺杂基质,T b掺杂温度为1100℃,N2气流量为1000 sccm、光激发波长为243 nm时,获得了最强荧光发射,其波长为554 nm(5D4→7F5),同时还出现强度相对较弱的494nm(5D4→7F6),593nm(5D4→7F4)和628nm(5D4→7F3)三条谱带。T b掺杂的体Si衬底在波长554 nm处仅有极其微弱的光致发光峰。
Si纳米线、Tb掺杂、光致发光
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O614.3(无机化学)
国家自然科学基金青年科学基金项目61204079;河北省自然科学基金项目E2012201088,F2013201196
2016-08-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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