集成电路芯片温度依赖的PbSe量子点PL光谱研究

摘要：

制备了3.6，5.1和6.0 nm三种尺寸的胶体PbSe量子点，并对其光学特性进行实验研究。在室温条件下，实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移；大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移。以PbSe量子点温度依赖的光致发光光谱特性为基础，提出一种新型的集成电路芯片温度检测方法。这种新型的温度检测方法是将胶体PbSe量子点沉积在集成电路板表面，使用激光器发射出平行激光束，使芯片表面的胶体PbSe量子点层光致发光，通过红外光谱仪接收光致发光光谱，实现温度的检测；利用图像采集系统对芯片表面特定微小区域成像，实现微米尺度区域的温度检测。实验结果表明，测量精度为±3℃，其相对误差不大于5％。

关键词：胶体PbSe量子点、光致发光光谱、集成电路、温度检测

分类号：O433.4(光学)

资助基金：国家863计划项目2011A A050509;国家自然科学基金项目61106039;博士后基金项目20110409015

在线出版日期：2015-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1169-1172