电子俘获型材料Sr3SiO5∶Eu2＋，RE3＋（RE＝ Nd3＋，Ho3＋，La3＋）的光激励和长余辉发光性能的研究

摘要：

通过高温固相法制备出系列电子俘获型材料Sr3 SiO5∶Eu2＋，RE3＋（RE＝ Nd3＋，Ho3＋，La3＋），并对其光激励和长余辉性能进行了研究。经过紫外光源激发后，利用980 nm激光照射时，表现出很强的上转换光激励信息读出响应，其归因于较深陷阱（438 K）的存在，这种性能在Sr3 SiO5∶Eu2＋，La3＋和Sr3 SiO5∶Eu2＋，Ho3＋两种材料表现尤为明显。随后，对陷阱的深度和载流子浓度进行了研究，并分析产生光激励性能的原因。热释光光谱中电子俘获参数的计算是通过Chen’s 半宽方法，得出438 K 所对应的陷阱深度值，并与980 nm激光辐照光源的能量形成对比。与此同时，共掺稀土离子后的余辉性能也有着较大幅度的提高，Sr3 SiO5∶Eu2＋，La3＋的余辉时间更是达到12 h以上。研究结果显示，共掺样品的陷阱结构的改变是导致其光激励及余辉性能的根本原因。

关键词：电子俘获、光激励发光、光存储

分类号：O634(高分子化学（高聚物）)

资助基金：国家自然科学基金项目11204113;高等学校博士学科点专项科研基金项目20115314120001;云南省自然科学基金项目2011FB022;昆明理工大学分析与测试基金项目20130159

在线出版日期：2014-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1486-1491