10.3964/j.issn.1000-0593(2014)01-0020-03
ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点发光光谱特性的研究
ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒,无重金属的“绿色”半导体纳米材料。在研究中,制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点,其直径分别为3.3,2.7,2.3 nm。通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长随尺寸的减小而蓝移。其吸收峰值波长和发射峰值波长分别是510,611(3.3 nm),483,583(2.7 nm)以及447,545 nm(2.3 nm)。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点具有显著的尺寸依赖效应。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的斯托克斯位移分别为398 meV (3.3 nm ),436 meV (2.7 nm)以及498 meV(2.3 nm),这样大的斯托克斯位移证明,ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的发光机制与缺陷能级有关。同时,对直径为3.3 nm的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点进行了温度依赖的光致发光光谱的测量,当温度为15~90℃时,该量子点发射峰值波长随温度的升高而红移,发光强度随温度的升高而降低,说明Zn-CuInS/ZnSe/ZnS量子点是以导带能级与缺陷能级之间跃迁为主的复合发光。
ZnCuInS/ZnSe/ZnS、量子点、温度依赖、尺寸依赖、光致发光光谱
TN304(半导体技术)
国家863计划重点项目2011AA050509;国家自然科学基金项目61106039,51272084;吉林省青年基金项目201101025
2014-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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