10.3964/j.issn.1000-0593(2013)05-1295-04
P型Cd1-xZnxTe薄膜的制备及性质研究
采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnx Te薄膜进行p型掺杂.用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnx Te薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化.结果表明掺Cu 10%的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级;掺铜20%的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整;掺铜30%的薄膜透过率显著下降到10%以下,退火前后均为P型薄膜.
Cd1-xZnxTe薄膜、P型掺杂、退火
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O657.3(分析化学)
国家973计划项目2011CBA00708;四川省科技支撑计划2011GZ0015
2013-07-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1295-1298