Zn元素替代对MgGa2O4∶Cr3+的结构和发光性能的影响

摘要：

采用高温固相法按化学式ZnxMg(1-x)Ga2O4∶Cr3+ (x=0,0.2,0.6,0.8,1.0)配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料.X射线衍射(XRD)分析表明样品物相均为面心立方结构.光致发光特性表明样品的红光发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2E-4A2跃迁所致,Cr3+的激发带与基质发射带之间有大面积重叠,两者间存在有效的能量传递.余辉衰减曲线与热释光谱分析表明,不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同,是由于其中存在的陷阱能级深度不同,且陷阱能级越深,其余辉时间越长.

关键词：长余辉、MgGa2O、ZnGa2O4、Cr3+、陷阱能级

所属期刊栏目：33

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目20871033,21271048

在线出版日期：2013-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：31-35