退火温度对高分子薄膜中掺杂小分子的结晶和光谱学响应特性的影响

摘要：

研究了小分子材料苝(EPPTC)在高分子材料聚芴衍生物(F8BT)薄膜中的结晶特性随温度的变化规律,以及由此引起的两种材料构成的异质结中激发复合体荧光发射特性的变化.实验结果表明,退火温度的升高会加强小分子与高分子材料在固体薄膜中的相分离.而小分子相在析出过程中,会在分子间作用力诱导下发生π—π团聚而结晶.晶体的尺度在达到小分子材料相变温度之前基本上随温度升高而增大.这一过程将破坏异质结结构,减小小分子与高分子间的接触面积,从而降低激发复合体的形成及其荧光发射强度.同时,由高分子向小分子发生的能量转移过程被显著减弱,而小分子晶相的荧光发射成分提高.这对于调控有机半导体异质结结构,进而改善光伏器件性能具有重要意义.

关键词：小分子掺杂、高分子半导体材料、退火温度、相分离、激发复合体、结晶

所属期刊栏目：32

分类号：O433(光学)

资助基金：国家自然科学基金项目111074018;高等学校博士学科点专项项目20091103110012

在线出版日期：2013-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3078-3082