频率调制强吸收光谱中残余幅度调制的理论分析

摘要：

由电光调制器( EOM)中双折射效应及线偏光不完全沿EOM调制方向诱发的残余幅度调制(RAM)使频率调制(FM)光谱技术在微量气体检测中的应用受到极大的限制.基于光场与晶体相互作用及光学干涉原理推导出存在RAM时FM光谱的线型表达式,确定出输入线偏光角度、EOM中双折射效应、FM系数等是影响线型的主要因素,且当入射EOM光的偏振角度偏离调制方向越大,双折射效应引起的特征偏振方向相位差越大,线型扭曲越严重；同时在FM色散光谱中存在一个受两者影响的直流偏置；最后给出通过伺服控制这两过程可以达到抑制RAM的目的.这些现象及线型的分析将为基于光纤器件的FM光谱提供必要的理论支持.

关键词：频率调制光谱、残余幅度调制、电光调制器、光谱线型

所属期刊栏目：32

分类号：O433.1;TN247(光学)

资助基金：国家自然科学基金项目61178009,60908019,61005053;山西省青年基金项目2010021003-3

在线出版日期：2012-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1334-1338