均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极性能对比研究

摘要：

高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素.针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同.实验表明,与均匀掺杂结构阴极相比,梯度掺杂结构阴极在激活过程中光电流增速较慢,激活时间相对较长,激活成功后量子效率较高.采用场助光电阴极发射模型可以很好地解释二者间存在的差异,梯度掺杂结构中内建电场的存在增加了电子向阴极表面的漂移运动,提高了电子到达阴极表面的几率.

关键词：负电子亲和势、氮化镓、均匀掺杂、梯度掺杂、光电阴极、场助、量子效率

所属期刊栏目：31

分类号：TN204(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金项目60871012,60701013;南京理工大学自主科研专项计划项目2010ZYTS032

在线出版日期：2011-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2036-2039