10.3964/j.issn.1000-0593(2011)07-1729-05
DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区移动的研究
制备了以结构ITO/PCBM:PVK(x Wt%,~40nm)/DPVBi(30 nm)/Alq3(30 nm)/Al为基础的一系列有机发光二极管,利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动.通过氟化锂的阴极修饰,改变了器件的载流子注人情况;通过PCBM的浓度变化,改变了载流子的输运情况,讨论了这些因素对载流子复合区形成的影响.同时通过改变对器件所加的电压,讨论了电压对载流子复合区形成的影响,并分析了其影响的本质.
有机发光二极管、电致发光、复合区、迁移率
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O433.1(光学)
国家自然科学基金项目60978060,10974013,10804006,10774013;国家973计划项目2010CB327704;北京市自然科学基金项目1102028;教育部博士点基金项目20070004024,20090009110027;博士点新教师基金项目20070004031;北京交通大学优秀博士生科技创新基金项目141049522
2011-10-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1729-1733