微小尺寸立方氮化硼晶体蓝紫光发射光谱的测量与分析

摘要：

对于微小尺寸的N型宽禁带立方氮化硼(CBN)半导体晶体,在施加恒稳电场的情况下,观察到电致发光现象.通过置CBN单晶样品于光栅单色仪抛物面反射镜焦点的方法,对于CBN的蓝紫光辐射获得了测试系统的最大入射光通量和理想的信噪比.在350～450 nm波长范围内,CBN加上4.7×10~6 V·cm~(-1)恒稳电场条件下,测昔出立方氮化硼的蓝紫光发射光谱.同时,结合基于第一性原理的GGA方法计算出的立方氮化硼能带结构和电子态密度,以及测量得到的非线性j-E关系和电击穿特性,讨论了发光机理.提出了在雪崩击穿前的缺陷偶极子极化和击穿后,产生大量的激发态电子,电子在Γ能谷和X能谷间迁移的发光机制.

关键词：立方氮化硼单晶、蓝紫光辐射、能谷、梯度矫正局域密度近似(GGA)

所属期刊栏目：30

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目60176009

在线出版日期：2010-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：595-598