有机阱结构器件在反向偏压调制下光致发光猝灭的研究

摘要：

实验过程中制备了3种不同周期的有机阱结构器件,分别用N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-napthyl)1,1'-biphenyll-4,4'-diamine(NPB)和4,4,N,N'-dicarbazolebiplaenyl(CBP)作为电子的势阱和势垒.讨论了3个器件在反向偏压调制下的光致发光的猝灭.研究结果显示在作者所制备的器件中NPB层中激子的猝灭速度要比CBP层中的激子猝灭速度快.这主要是因为NPB层中的有效电场要比CBP层中的有效电场强.当所制备的有机阱结构器件的周期数增加时,在相同的反向电场下,NPB和CBP层中的激子猝灭速度会随之增加,因为实验中制备的这3个器件为Ⅱ型量子阱结构,激子在这种阱结构器件中会随着阱周期数的增加而变得越来越不稳定,因此周期数较大的器件猝灭现象比较明显.

关键词：异质结、有机阱结构、光致发光、猝灭

所属期刊栏目：30

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目10774013,10804006,1097413,60978060;教育部博士点基金项目2007004024;博士点新教师基金项目2007004031;北京市科技新星计划项目2007A024;国家杰出青年科学基金项目60825407;教育部留学回国科研启动基金项目和高等学校学科创新引智计划项目B08002

在线出版日期：2010-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：304-307