10.3964/j.issn.1000-0593(2009)09-2342-04
(Pb,La)Ti03铁电薄膜的太赫兹时域光谱实验研究
利用THz时域光谱技术(THz-TDS)探测了制作在SiO2/Si衬底上的(Pb,La)TiO3铁电薄膜的频谱响应,获得了三种不同烧结温度的掺镧钛酸铅(PLT)薄膜的THz频谱.根据实验数据计算得到了PLT薄膜在0.2~3 THz频段内的吸收系数、折射率和复介电常数,并对比了三种不同烧结温度的PLT薄膜的实验计算结果.实验结果表明,三种PLT薄膜在所测频段内均有较强吸收,且都在1.5 THz处有一个明显的吸收峰,在2.25 THz处有一个相对较弱的吸收峰.
太赫兹时域光谱、PLT薄膜、烧结温度、吸收谱、折射率、介电常数
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O443.5(电磁学、电动力学)
国家自然科学基金项目10676110;国家"973"重大基础研究项目2007CB310401;高等学校博士学科点专项科研基金项目20050614017
2009-10-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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